Lenkija – Tikrinimo ir bandymo aparatai – Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).

Lenkija – Tikrinimo ir bandymo aparatai – Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).

I dalis: Perkančioji organizacija

I.1) Pavadinimas ir adresai:

Oficialus pavadinimas: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Adresas: ul. Sokołowska 29/37
Miestas: Warszawa
Pašto kodas: 01-142
Šalis: Lenkija
Asmuo ryšiams:
El-paštas: dnicia@unipress.waw.pl
Interneto adresas (-ai):
Pagrindinis adresas: http://www.unipress.waw.pl

II dalis: Objektas

II.1.1) Pavadinimas:

Dostawa dwóch reaktorów do epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE).
Nuorodos numeris: ZP-261/10/2024

II.1.2) Pagrindinis BVPŽ kodas:

38500000 Matuokliai ;

II.1.3) Sutarties tipas:

Kita

II.1.4) Trumpas aprašymas:

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest sprzęt przeznaczony do wzrostu epitaksjalnego materiałów na bazie GaN (GaN, AlGaN, InGaN). Sprzęt składa się z konfiguracji 3x2” podłoża, systemu kontroli dostarczania materiałów źródłowych, który obejmuje 8 linii substancji metaloorganicznych (MO) (co najmniej 6 linii), 2 systemów linii wodorkowych, poziomego reaktora z komorą rękawicową + komorą przelotową, strefowego oporowego systemu grzewczego, systemu pomp próżniowych, pełnego systemu bezpieczeństwa oraz komputerowego systemu do pomiarów i sterowania. Reaktor wymaga zastosowania typu kanału przepływu poziomego, który powinien być zbudowany z trzech części (początkowa, środkowa i końcowa), a część środkowa powinna być wymienna w celu ułatwienia konserwacji. Wtrysk gazu powinien być potrójny, aby kontrolować jednorodną fazę gazową. Wykonawca powinien dostarczyć następujące dane referencyjne: 1. Szybkość wzrostu powyżej 2 µm/h przy jednoczesnej niskiej koncentracji węgla (<10¹⁶ cm⁻³). 2. Aby kontrolować wysoką zawartość Al w zakresie 50 ~ 80%, utrzymywać stały stosunek V/III "powyżej 1400" oraz tempo wzrostu "powyżej 3 µm/h". 3. Warstwa AlN krystalizująca z tempem wzrostu powyżej 15 µm/h. 4. *n-, p-domieszkowane warstwy GaN, AlGaN, InGaN krystalizowane pod ciśnieniem atmosferycznym. ENGLISH VERSION The subject of the order is equipment used for epitaxial growth of GaN-based materials (GaN, AlGaN, InGaN). The Equipment consists of 3x2” wafer configuration, source material supply control system which includes 8 metalorganic (MO) line systems (at least 6 lines), 2 hydride line systems, a horizontal reactor with a glove-box + a pass-box, a resistance zone heating system, a vacuum pumping system, a full safety system, and a computer measuring and control system. Reactor requires Horizontal Flow channel type, those parts should be structured three parts (upstream, middle and downstream) and middle parts can be replacement for easy maintenance and gas injection should be triple flow Injected to control uniform gas phase. Contractor should supply the following reference data 1. Growth Rate over 2 um/h with low carbon concentration (<1016 cm-3) simultaneously 2. To control high Al content 50 ~ 80% range, keep constant V/III ratio “over 1400” and Growth Rate “over 3 um/h” 3. AlNlayer grown over 15 um/h as Growth Rate 4. *n-, p- doped GaN, AlGaN, InGaN able to growth under atmospheric pressure

II.2) Aprašymas:

II.2.1) Kitas (-i) šio pirkimo BVPŽ kodas (-ai):

38500000 Tikrinimo ir bandymo aparatai
38300000 Matuokliai