Lenkija – Masės spektrometrai – Dostawa dynamicznego spektrometru mas jonów wtórnych.

Lenkija – Masės spektrometrai – Dostawa dynamicznego spektrometru mas jonów wtórnych.

I dalis: Perkančioji organizacija

I.1) Pavadinimas ir adresai:

Oficialus pavadinimas: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Adresas: ul. Sokołowska 29/37
Miestas: Warszawa
Pašto kodas: 01-142
Šalis: Lenkija
Asmuo ryšiams:
El-paštas: dnicia@unipress.waw.pl
Interneto adresas (-ai):
Pagrindinis adresas: http://www.unipress.waw.pl

II dalis: Objektas

II.1.1) Pavadinimas:

Dostawa dynamicznego spektrometru mas jonów wtórnych.
Nuorodos numeris: ZP-268/12/2024

II.1.2) Pagrindinis BVPŽ kodas:

38433100 Masės spektrometrai ;

II.1.3) Sutarties tipas:

Kita

II.1.4) Trumpas aprašymas:

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest dostawa i uruchomienie Spektrometru Mas Jonów Wtórnych (SIMS) przeznaczonego do charakteryzacji otrzymywanych kryształów podłoży oraz implantowanych podłoży GaN pod kątem zawartości intencjonalnie wprowadzonych domieszek jak i nieintencjonalnych zanieczyszczeń. Urządzenie musi zapewnić wykonanie precyzyjnych analiz pierwiastkowych i izotopowych w półprzewodnikach azotkowych, takich jak kryształy domieszkowane i implantowane. Urządzenie musi umożliwiać profilowanie głębokościowe z wysoką rozdzielczością oraz szerokim zakresem dynamicznym, a także oferować doskonałe limity detekcji dzięki dwóm źródłom jonów o wysokiej gęstości (O2+ i Cs+). Spektrometr musi być wyposażony w system automatycznego ładowania próbek, co zapewni zdalną obsługę i analizę wielu próbek w trybie łańcuchowym, przy minimalnej interwencji operatora. Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ ENGLISH VERSION The subject of the order is the delivery and commissioning of a Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) designed for the characterization of obtained substrate crystals and implanted GaN substrates in terms of the content of intentionally introduced dopants and unintentional impurities. The device must ensure the performance of precise elemental and isotopic analyses in nitride semiconductors, such as doped and implanted crystals. The device must enable depth profiling with high resolution and a wide dynamic range, and also offer excellent detection limits thanks to two high-density ion sources (O2+ and Cs+). The spectrometer must be equipped with an automatic sample loading system, which will ensure remote operation and analysis of many samples in chain mode, with minimal operator intervention. A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the SWZ

II.2) Aprašymas:

II.2.1) Kitas (-i) šio pirkimo BVPŽ kodas (-ai):

38433100 Masės spektrometrai